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晶片加工引导

项目编号:XP383C0D3295

项目状态:已发布

项目分类: 非金属研发引导

所在地:河南 / 洛阳

需求内容:

1、 两种晶向(111)和(100)的硅片在腐蚀岗位,(100)晶向的为何更易出沾污(在腐蚀工序前,清洗工艺完全一样)?

2、 硅片背面做多晶,弯/翘曲为何会增大30至50μm?通过氧化炉1100℃热处理20至30S,弯/翘曲就会恢复到背封前水平,硅片经过这一高温短暂过程,是否会对硅片晶体有影响?

目前此问题上一直没有得到比较好的解决,希翼能够得到更好的技术支撑。


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